Seite drucken
PHPT610030NKX
Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 100 V, 3 A, 1.25 W
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
1’618 auf Lager
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
1–2 Werktage Lieferzeit
Standard-Lieferung bei Bestellung vor 17:00 Uhr
| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 1.020 |
| 10+ | CHF 0.626 |
| 100+ | CHF 0.367 |
| 500+ | CHF 0.293 |
| 1000+ | CHF 0.292 |
| 5000+ | CHF 0.230 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 1
Mehrere: 1
CHF 1.02 (ohne MwSt.)
Bestellnr. /Hinweis zur Position hinzufügen
Nur für diese Bestellung zu Ihrer Auftragsbestätigung, Rechnung und Versandanzeige hinzugefügt.
Diese Nummer wird der Auftragsbestätigung, der Rechnung, dem Versandschein, der Webbestätigungs-E-Mail und dem Etikett hinzugefügt.
Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerPHPT610030NKX
Bestellnummer2498608
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätZweifach npn
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.100V
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.-
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN3A
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP-
Verlustleistung, NPN1.25W
Verlustleistung, PNP-
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.10hFE
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.-
Bauform - TransistorSOT-1205
Anzahl der Pins8Pin(s)
TransistormontageOberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.175°C
Übergangsfrequenz, NPN140MHz
Übergangsfrequenz, PNP-
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCLead (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Diese leistungsstarken Bipolartransistoren in LFPAK56-Gehäuse (Power-S08/SOT669) bieten eine DPAK-ähnliche thermische und elektrische Leistung bei der Hälfte der Grundfläche. Sie bieten eine zuverlässige, energieeffiziente Leistung, sind qualifiziert gemäß AEC-Q101 und unterstützen den Betrieb bei hohen Temperaturen (175°C).
- Hohe Verlustleistung (Ptot)
- Geeignet für Anwendungen mit hohen Temperaturen (175 °C)
- Platzsparendes Gehäuse (5 x 6mm), die Hälfte der Größe vergleichbarer Transistoren in DPAK-, SOT223- und anderen Gehäusen
- Flache Bauweise (1mm)
- Hohe Zuverlässigkeit und mechanische Robustheit dank des robusten Kupferclips (keine Drähte)
- Hohe Energieeffizienz dank geringerer Wärmeerzeugung
- Qualifiziert gemäß AEC-Q101
- Wachsendes, zukunftssicheres Portfolio
Anwendungen
Power-Management, Motorantrieb & -steuerung, LED-Beleuchtung, Fahrzeugelektronik
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
Zweifach npn
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.
-
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP
-
Verlustleistung, PNP
-
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.
-
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.
175°C
Übergangsfrequenz, PNP
-
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.
100V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN
3A
Verlustleistung, NPN
1.25W
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.
10hFE
Bauform - Transistor
SOT-1205
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN
140MHz
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.00003
Produktnachverfolgung