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PBSS4160PANSX
Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 60 V, 1 A, 510 mW
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| Menge | |
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| 500+ | CHF 0.219 |
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| 5000+ | CHF 0.160 |
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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerPBSS4160PANSX
Bestellnummer2628097
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätZweifach npn
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.60V
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.-
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN1A
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP-
Verlustleistung, NPN510mW
Verlustleistung, PNP-
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.70hFE
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.-
Bauform - TransistorSOT-1118
Anzahl der Pins6Pin(s)
TransistormontageOberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.150°C
Übergangsfrequenz, NPN175MHz
Übergangsfrequenz, PNP-
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
Zweifach npn
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.
-
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP
-
Verlustleistung, PNP
-
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.
-
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Betriebstemperatur, max.
150°C
Übergangsfrequenz, PNP
-
Qualifikation
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.
60V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN
1A
Verlustleistung, NPN
510mW
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.
70hFE
Bauform - Transistor
SOT-1118
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN
175MHz
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000007
Produktnachverfolgung