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PBHV9115T-QVL
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 1 A, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 100+ | CHF 0.214 |
| 500+ | CHF 0.149 |
| 1000+ | CHF 0.119 |
| 5000+ | CHF 0.110 |
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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerPBHV9115T-QVL
Bestellnummer3912198RL
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätPNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.150V
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo150V
Dauer-Kollektorstrom1A
DC-Kollektorstrom1A
Verlustleistung300mW
Verlustleistung Pd300mW
Bauform - TransistorSOT-23
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz115MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.220hFE
DC-Stromverstärkung hFE220hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
PNP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo
150V
DC-Kollektorstrom
1A
Verlustleistung Pd
300mW
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
115MHz
DC-Stromverstärkung hFE
220hFE
Produktpalette
-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
-
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
150V
Dauer-Kollektorstrom
1A
Verlustleistung
300mW
Bauform - Transistor
SOT-23
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
220hFE
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001
Produktnachverfolgung