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BUK9K61-100LX
Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 100 V, 15 A, 0.0601 ohm
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 0.538 |
| 10+ | CHF 0.415 |
| 100+ | CHF 0.328 |
| 500+ | CHF 0.287 |
| 1000+ | CHF 0.272 |
| 5000+ | CHF 0.264 |
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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerBUK9K61-100LX
Bestellnummer4697699
Technisches Datenblatt
KanaltypZweifach n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal100V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal-
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal15A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal-
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal0.0601ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal-
Bauform - TransistorLFPAK56D
Anzahl der Pins8Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal32W
Verlustleistung, p-Kanal-
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
QualifikationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
Zweifach n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
-
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
-
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
-
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
-
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
100V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
15A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
0.0601ohm
Bauform - Transistor
LFPAK56D
Verlustleistung, n-Kanal
32W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
AEC-Q101
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Keine Angabe
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung