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BSR33,115
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 1 A, 1.35 W, SOT-89, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
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| 10+ | CHF 0.542 |
| 50+ | CHF 0.398 |
| 200+ | CHF 0.254 |
| 500+ | CHF 0.249 |
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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerBSR33,115
Bestellnummer1757929
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätPNP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.80V
Dauer-Kollektorstrom1A
Verlustleistung1.35W
Bauform - TransistorSOT-89
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins3Pin(s)
Übergangsfrequenz100MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.100hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
BSR33,115 ist ein PNP-Transistor für den mittleren Leistungsbereich in einem Kunststoffgehäuse. Dieser Transistor eignet sich für Telefonie- und universelle Industrieanwendungen sowie für Dünn- und Dickschichtschaltungen.
- Hochstrom
- Niedrige Spannung
- NPN-Ergänzungen: BSR40, BSR41 und BSR43
- Markierungscode: BR4
Anwendungen
Industrie, Kommunikation & Netzwerke, Power-Management
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
PNP
Dauer-Kollektorstrom
1A
Bauform - Transistor
SOT-89
Anzahl der Pins
3Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
100hFE
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
80V
Verlustleistung
1.35W
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
100MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Hong Kong
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Hong Kong
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000091
Produktnachverfolgung