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BF722,115
Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 250 V, 100 mA, 1.2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
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| 10+ | CHF 0.312 |
| 50+ | CHF 0.271 |
| 200+ | CHF 0.230 |
| 500+ | CHF 0.172 |
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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerBF722,115
Bestellnummer1757916
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätNPN
Kollektor-Emitter-Spannung, max.250V
Dauer-Kollektorstrom100mA
Verlustleistung1.2W
Bauform - TransistorSOT-223
TransistormontageOberflächenmontage
Anzahl der Pins4Pin(s)
Übergangsfrequenz60MHz
DC-Stromverstärkung (hFE), min.50hFE
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
BF722,115 ist ein NPN-Hochspannungstransistor in einem Kunststoffgehäuse. Dieser Transistor eignet sich für Video-Ausgangsstufen der Klasse B von Farbfernsehempfangsgeräten und für universelle Hochspannungsschaltungen.
- Niedrige Rückkoppelkapazität
- Komplementärer PNP-Transistor: BF723
Anwendungen
Industrie, Kommunikation & Netzwerke, Bildverarbeitung & Video, Signalverarbeitung, Power-Management
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
NPN
Dauer-Kollektorstrom
100mA
Bauform - Transistor
SOT-223
Anzahl der Pins
4Pin(s)
DC-Stromverstärkung (hFE), min.
50hFE
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, max.
250V
Verlustleistung
1.2W
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz
60MHz
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000073
Produktnachverfolgung