Seite drucken
BCM847BS,115
Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 45 V, 100 mA, 300 mW
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
1’784 auf Lager
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
1–2 Werktage Lieferzeit
Standard-Lieferung bei Bestellung vor 17:00 Uhr
| Menge | |
|---|---|
| 5+ | CHF 0.435 |
| 50+ | CHF 0.224 |
| 100+ | CHF 0.146 |
| 500+ | CHF 0.119 |
| 1500+ | CHF 0.110 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 5
Mehrere: 5
CHF 2.18 (ohne MwSt.)
Bestellnr. /Hinweis zur Position hinzufügen
Nur für diese Bestellung zu Ihrer Auftragsbestätigung, Rechnung und Versandanzeige hinzugefügt.
Diese Nummer wird der Auftragsbestätigung, der Rechnung, dem Versandschein, der Webbestätigungs-E-Mail und dem Etikett hinzugefügt.
Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerBCM847BS,115
Bestellnummer1757902
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätZweifach npn
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.45V
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.-V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN100mA
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP-A
Verlustleistung, NPN300mW
Verlustleistung, PNP-W
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.290hFE
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.-hFE
Bauform - TransistorSOT-363
Anzahl der Pins6Pin(s)
TransistormontageOberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.150°C
Übergangsfrequenz, NPN250MHz
Übergangsfrequenz, PNP-MHz
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
BCM847BS,115 ist ein zweifaches NPN-Bipolartransistor-Array in einem kleinen Kunststoffgehäuse zur Oberflächenmontage. Der Transistor ist intern vollständig isoliert und eignet sich für Stromspiegel und Differenzverstärker.
- Anpassung der Stromverstärkung
- Anpassung der Basis-Emitter-Spannung
- Direkter Ersatz für zweifache Standard-Transistor
Anwendungen
Power-Management, Industrie
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
Zweifach npn
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.
-V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP
-A
Verlustleistung, PNP
-W
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.
-hFE
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Betriebstemperatur, max.
150°C
Übergangsfrequenz, PNP
-MHz
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.
45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN
100mA
Verlustleistung, NPN
300mW
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.
290hFE
Bauform - Transistor
SOT-363
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN
250MHz
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000006
Produktnachverfolgung