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BC847BVN,115
Bipolares Transistor-Array, Universal, Komplementär NPN und PNP, 45 V, 45 V, 100 mA, 100 mA, 200 mW
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| Menge | |
|---|---|
| 5+ | CHF 0.381 |
| 50+ | CHF 0.232 |
| 250+ | CHF 0.110 |
| 1000+ | CHF 0.077 |
| 2000+ | CHF 0.0755 |
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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerBC847BVN,115
Bestellnummer8734755
Technisches Datenblatt
WandlerpolaritätKomplementär NPN und PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.45V
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN100mA
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP100mA
Verlustleistung, NPN200mW
Verlustleistung, PNP200mW
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.200hFE
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.200hFE
Bauform - TransistorSOT-666
Anzahl der Pins6Pin(s)
TransistormontageOberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.150°C
Übergangsfrequenz, NPN100MHz
Übergangsfrequenz, PNP100MHz
Produktpalette-
Qualifikation-
MSLMSL 1 - unbegrenzt
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
The BC847BVN is a NPN-PNP Bipolar Transistor Array in a plastic package suitable for general-purpose switching and amplification applications. It is designed to use in switch mode power supply complementary MOSFET driver and complementary driver for audio amplifiers.
- Excellent coplanarity due to straight leads
- Replaces two SC-75/SC-89 packaged transistors on same PCB area
- Reduced required PCB area
Anwendungen
Power-Management, Audio, Motorantrieb & -steuerung, Industrie
Warnungen und Hinweise
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische Spezifikationen
Wandlerpolarität
Komplementär NPN und PNP
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.
45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP
100mA
Verlustleistung, PNP
200mW
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.
200hFE
Anzahl der Pins
6Pin(s)
Betriebstemperatur, max.
150°C
Übergangsfrequenz, PNP
100MHz
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.
45V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN
100mA
Verlustleistung, NPN
200mW
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.
200hFE
Bauform - Transistor
SOT-666
Transistormontage
Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN
100MHz
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
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Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Hong Kong
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Hong Kong
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000003
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