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BAV199W,115
Kleinsignaldiode, Zweifach in Reihe, 85 V, 110 mA, 1.25 V, 3 µs, 4 A
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| Menge | |
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| 500+ | CHF 0.0519 |
| 1500+ | CHF 0.0368 |
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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
HerstellerteilenummerBAV199W,115
Bestellnummer8734615
Technisches Datenblatt
DiodenkonfigurationZweifach in Reihe
Wiederkehrende Spitzensperrspannung85V
Durchschnittlicher Durchlassstrom110mA
Durchlassspannung, max.1.25V
Sperrverzögerungszeit3µs
Durchlassstoßstrom4A
Betriebstemperatur, max.150°C
Bauform - DiodeSOT-323
Anzahl der Pins3Pin(s)
DiodenmontageOberflächenmontage
Produktpalette-
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
BAV199W ist eine Doppel-Schaltdiode in epitaxialer Bauweise mit mittlerer Schaltgeschwindigkeit in einem kompakten SOT323 (SC-70)-Kunststoffgehäuse zur Oberflächenmontage (SMD). Diese Dioden werden in Reihe geschaltet und für Anwendungen mit niedrigem Leckstrom in SMD-Schaltungen verwendet.
- Kontinuierliche Sperrspannung, max.: 75V
- Periodischer Spitzen-Durchlassstrom: 500mA
- Niedriger Rückstrom, typ.: 3pA
- Qualifiziert gemäß AEC-Q101
Anwendungen
Industrie
Technische Spezifikationen
Diodenkonfiguration
Zweifach in Reihe
Durchschnittlicher Durchlassstrom
110mA
Sperrverzögerungszeit
3µs
Betriebstemperatur, max.
150°C
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Wiederkehrende Spitzensperrspannung
85V
Durchlassspannung, max.
1.25V
Durchlassstoßstrom
4A
Bauform - Diode
SOT-323
Diodenmontage
Oberflächenmontage
Qualifikation
-
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000045
Produktnachverfolgung