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Produktspezifikationen
HerstellerNEXPERIA
Herstellerteilenummer2N7002BKW,115
Bestellnummer2438516
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds60V
Dauer-Drainstrom Id310mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand1.6ohm
Bauform - TransistorSOT-323
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1.6V
Verlustleistung275mW
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Qualifikation-
Produktbeschreibung
The 2N7002BKW is a N-channel enhancement-mode MOSFET designed in a small surface-mount plastic package using Trench MOSFET technology. It is suitable for use in relay driver, high-speed line driver, low-side load-switch and switching circuits.
- Logic-level compatible
- Very fast switching
- ESD protection up to 2kV
- AEC-Q101 qualified
Anwendungen
Fahrzeugelektronik, Power-Management, Industrie
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
310mA
Bauform - Transistor
SOT-323
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
275mW
Betriebstemperatur, max.
150°C
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Drain-Source-Spannung Vds
60V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
1.6ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1.6V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (2)
Alternativen für 2N7002BKW,115
3 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:United States
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:United States
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001
Produktnachverfolgung