MTA8ATF1G64HZ-3G2R1

Das Speichermodul MTA8ATF1G64HZ-3G2R1 ist ein High-Speed-DDR4-SDRAM-Modul, welches DDR4-SDRAM-Bausteine mit zwei oder vier internen Speicherbankgruppen verwendet. Das DDR4-SDRAM-Modul mit 4 Bit und 8 Bit breiten DDR4-SDRAM-Bausteinen beinhaltet vier interne Speicherbankgruppen, die aus jeweils vier Speicherbänken bestehen, sodass insgesamt 16 Speicherbänke bereitstehen. Das 16 Bit breite DDR4-SDRAM-Modul beinhaltet zwei interne Speicherbankgruppen, die aus jeweils vier Speicherbänken bestehen, sodass insgesamt acht Speicherbänke bereitstehen. Die DDR4-SDRAM-Module profitieren von der 8n-Prefetch-Architektur des DDR4 SDRAM mit einer Schnittstelle, die für die Übertragung von zwei Datenwörtern pro Taktzyklus an den I/O-Pins ausgelegt ist. Ein einzelner Lese- oder Schreibvorgang für den DDR4 SDRAM besteht aus einer 8n Bit breiten, vier Taktzyklen umfassenden Datenübertragung am internen DRAM-Core und acht entsprechenden n Bit breiten, einen halben Taktzyklus umfassenden Datenübertragungen an den I/O-Pins. Das DDR4-Modul verwendet zwei Sätze von differentiellen Signalen: DQS-t und DQS-c für die Aufzeichnung von Daten sowie CK-t und CK-c für die Aufzeichnung von Befehlen, Adressen und Steuersignalen.

• Moduldichte: 8GB; Konfiguration: 1Gig x 64; Modul-Bandbreite: 25.6GB/s
• Speicher-Takt-/Datenrate: 0.62ns/3200 MT/s; Taktzyklen: 22-22-22 (CL-tRCD-tRP)
• VDD-Versorgungsspannungsbereich: 1.14V bis 1.26V; DRAM-aktivierender Versorgungsspannungsbereich: 2.375V bis 2.75V
• Nominelle und dynamische On-Die-Termination (ODT) für Data-, Strobe- und Mask-Signale
• Energiesparender, automatischer Self-Refresh (LPASR); Datenbus-Inversion (DBI) für Datenbus
• On-Die-VREFDQ-Generierung und -Kalibrierung; Single-Rank-Speicher; Kantenkontakte aus Gold
• Boardinterne I²C-Schnittstelle mit seriellem Presence-Detect-EEPROM; 16 interne Speicherbänke; 4 Gruppen à 4 Bänke
• Fester Burst-Chop (BC) von 4 und Burst-Länge (BL) von 8 über das Mode-Register-Set (MRS)
• Fly-by-Topologie; terminierter Steuer-, Befehls- und Adressbus
• 260-poliges DIMM-Gehäuse; gewerblicher Betriebstemperaturbereich: 0°C bis 95°C