Seite drucken
MT62F2G32D4DS-023 AAT:C
DRAM, Mobile LPDDR5, 64 Gbit, 2G x 32 Bit, 4.266 GHz, TFBGA, 315 Pin(s)
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerMICRON
HerstellerteilenummerMT62F2G32D4DS-023 AAT:C
Bestellnummer4050909
Technisches Datenblatt
360 auf Lager
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
1–2 Werktage Lieferzeit
Standard-Lieferung bei Bestellung vor 17:00 Uhr
| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 55.890 |
| 5+ | CHF 53.490 |
| 10+ | CHF 51.100 |
| 25+ | CHF 48.650 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
CHF 55.89 (ohne MwSt.)
Bestellnr. /Hinweis zur Position hinzufügen
Nur für diese Bestellung zu Ihrer Auftragsbestätigung, Rechnung und Versandanzeige hinzugefügt.
Diese Nummer wird der Auftragsbestätigung, der Rechnung, dem Versandschein, der Webbestätigungs-E-Mail und dem Etikett hinzugefügt.
Produktspezifikationen
HerstellerMICRON
HerstellerteilenummerMT62F2G32D4DS-023 AAT:C
Bestellnummer4050909
Technisches Datenblatt
DRAM-AusführungMobile LPDDR5
Speicherdichte64Gbit
Speicherkonfiguration2G x 32 Bit
Taktfrequenz, max.4.266GHz
IC-Gehäuse / BauformTFBGA
Anzahl der Pins315Pin(s)
Versorgungsspannung, nom.1.05V
IC-MontageOberflächenmontage
Betriebstemperatur, min.-40°C
Betriebstemperatur, max.105°C
Produktpalette-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Produktbeschreibung
- Mobiler LPDDR5-SDRAM-Speicherbaustein Y42M
- Bandbreite pro Kanal: max. 17.1GB/s; auswählbares CK-Frequenzverhältnis (CKR): WCK:CK = 2:1 oder 4:1
- Einzelchip mit 16 Kanälen/Die; Befehls- und Adresseingabe mit doppelter Datenrate
- Differentielle Datentaktsignale (WCK_t/WCK_c); Hintergrund-ZQ-Kalibrierung/befehlsbasierte ZQ-Kalibrierung
- Selbstaktualisierung des Teil-Arrays (PASR) und automatische Aktualisierung des Teil-Arrays (PAAR) mit Segmentmaske
- I/O-Typ: massebezogen mit niedrigem Spannungshub, VSS-terminiert, VOH-kompensierte Ausgangsansteuerung
- Core mit dynamischer Spannungsfrequenzskalierung; massebezogener CK; massebezogener WCK; massebezogener RDQS
- Betriebsspannung: 1.05V VDD2/0.5V VDDQ, qualifiziert für Kfz-Anwendungen
- Konfiguration: 2 Gig x 32
- TFBGA-Gehäuse mit 315 Kugeln; Betriebstemperaturbereich: -40°C bis +105°C
Technische Spezifikationen
DRAM-Ausführung
Mobile LPDDR5
Speicherkonfiguration
2G x 32 Bit
IC-Gehäuse / Bauform
TFBGA
Versorgungsspannung, nom.
1.05V
Betriebstemperatur, min.
-40°C
Produktpalette
-
Speicherdichte
64Gbit
Taktfrequenz, max.
4.266GHz
Anzahl der Pins
315Pin(s)
IC-Montage
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.
105°C
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung