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MT53E512M64D2NW-046 WT:B
DRAM, Mobile LPDDR4, 32 Gbit, 512M x 64 Bit, 2.133 GHz, VFBGA, 432 Pin(s)
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 25.780 |
| 5+ | CHF 24.670 |
| 10+ | CHF 23.570 |
| 25+ | CHF 22.440 |
| 50+ | CHF 21.500 |
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Produktspezifikationen
HerstellerMICRON
HerstellerteilenummerMT53E512M64D2NW-046 WT:B
Bestellnummer3861305
DRAM-AusführungMobile LPDDR4
Speicherdichte32Gbit
Speicherkonfiguration512M x 64 Bit
Taktfrequenz, max.2.133GHz
IC-Gehäuse / BauformVFBGA
Anzahl der Pins432Pin(s)
Versorgungsspannung, nom.1.1V
IC-MontageOberflächenmontage
Betriebstemperatur, min.-25°C
Betriebstemperatur, max.85°C
Produktpalette-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Technische Spezifikationen
DRAM-Ausführung
Mobile LPDDR4
Speicherkonfiguration
512M x 64 Bit
IC-Gehäuse / Bauform
VFBGA
Versorgungsspannung, nom.
1.1V
Betriebstemperatur, min.
-25°C
Produktpalette
-
Speicherdichte
32Gbit
Taktfrequenz, max.
2.133GHz
Anzahl der Pins
432Pin(s)
IC-Montage
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.
85°C
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Singapore
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Singapore
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.002189