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HerstellerMICRON
HerstellerteilenummerMT53E2G64D8TN-046 WT:A
Bestellnummer3652202
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 101.740 |
| 5+ | CHF 97.330 |
| 10+ | CHF 92.610 |
| 25+ | CHF 91.240 |
Preiseinheit:Stück
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Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerMICRON
HerstellerteilenummerMT53E2G64D8TN-046 WT:A
Bestellnummer3652202
Technisches Datenblatt
DRAM-AusführungLPDDR4
Speicherdichte128Gbit
Speicherkonfiguration2G x 64 Bit
Taktfrequenz, max.2.133GHz
IC-Gehäuse / BauformLFBGA
Anzahl der Pins556Pin(s)
Versorgungsspannung, nom.1.1V
IC-MontageOberflächenmontage
Betriebstemperatur, min.-25°C
Betriebstemperatur, max.85°C
Produktpalette-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Alternativen für MT53E2G64D8TN-046 WT:A
1 Produkt(e) gefunden
Produktbeschreibung
Der MT53E2G64D8TN-046 WT:A ist ein LPDDR4-DRAM-Baustein mit einer Speicherdichte von 128Gbit.
- 2G x 64 Bit Speicherkonfiguration, Oberflächenmontage
- Taktfrequenz, max.: 2.133GHz
- 556-poliges LFBGA-Gehäuse
- Versorgungsspannung: nom. 1.1V
- Betriebstemperatur: -25°C bis 85°C
Technische Spezifikationen
DRAM-Ausführung
LPDDR4
Speicherkonfiguration
2G x 64 Bit
IC-Gehäuse / Bauform
LFBGA
Versorgungsspannung, nom.
1.1V
Betriebstemperatur, min.
-25°C
Produktpalette
-
Speicherdichte
128Gbit
Taktfrequenz, max.
2.133GHz
Anzahl der Pins
556Pin(s)
IC-Montage
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.
85°C
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Singapore
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Singapore
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.002268