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MT53E256M16D1FW-046 WT:B
DRAM, Mobile LPDDR4, 4 Gbit, 256M x 16 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pin(s)
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerMICRON
HerstellerteilenummerMT53E256M16D1FW-046 WT:B
Bestellnummer3652206
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 9.160 |
| 10+ | CHF 8.570 |
| 25+ | CHF 8.370 |
| 50+ | CHF 8.240 |
| 100+ | CHF 7.580 |
| 250+ | CHF 7.470 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerMICRON
HerstellerteilenummerMT53E256M16D1FW-046 WT:B
Bestellnummer3652206
Technisches Datenblatt
DRAM-AusführungMobile LPDDR4
Speicherdichte4Gbit
Speicherkonfiguration256M x 16 Bit
Taktfrequenz, max.2.133GHz
IC-Gehäuse / BauformTFBGA
Anzahl der Pins200Pin(s)
Versorgungsspannung, nom.1.1V
IC-MontageOberflächenmontage
Betriebstemperatur, min.-25°C
Betriebstemperatur, max.85°C
Produktpalette-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Technische Spezifikationen
DRAM-Ausführung
Mobile LPDDR4
Speicherkonfiguration
256M x 16 Bit
IC-Gehäuse / Bauform
TFBGA
Versorgungsspannung, nom.
1.1V
Betriebstemperatur, min.
-25°C
Produktpalette
-
Speicherdichte
4Gbit
Taktfrequenz, max.
2.133GHz
Anzahl der Pins
200Pin(s)
IC-Montage
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.
85°C
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Singapore
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Singapore
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001