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MT53E1G64D4HJ-046 AAT:C
DRAM, Mobile LPDDR4, 64 Gbit, 1G x 64 Bit, 2.133 GHz, TFBGA, 556 Pin(s)
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerMICRON
HerstellerteilenummerMT53E1G64D4HJ-046 AAT:C
Bestellnummer4050870
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 67.710 |
| 5+ | CHF 65.020 |
| 10+ | CHF 62.290 |
| 25+ | CHF 58.580 |
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Produktspezifikationen
HerstellerMICRON
HerstellerteilenummerMT53E1G64D4HJ-046 AAT:C
Bestellnummer4050870
Technisches Datenblatt
DRAM-AusführungMobile LPDDR4
Speicherdichte64Gbit
Speicherkonfiguration1G x 64 Bit
Taktfrequenz, max.2.133GHz
IC-Gehäuse / BauformTFBGA
Anzahl der Pins556Pin(s)
Versorgungsspannung, nom.1.1V
IC-MontageOberflächenmontage
Betriebstemperatur, min.-40°C
Betriebstemperatur, max.105°C
Produktpalette-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Produktbeschreibung
MT53E1G64D4HJ-046 AAT:C is a LPDDR4 SDRAM. It is a high-speed, CMOS dynamic random-access memory device. This memory is internally configured with 2 channels or 1 channel ×16 I/O, each channel having 8-banks. It has programmable VSS (ODT) termination and single-ended CK and DQS support. This memory has directed per-bank refresh for concurrent bank operation and ease of command scheduling.
- Operating voltage is 1.10V (VDD2) 0.60V or 1.10V (VDDQ)
- 1Gig x 64 configuration, LPDDR4, 4die addressing
- Packaging style is 556-ball TFBGA 12.4 x 12.4 x 1.1mm (Ø0.24 SMD)
- Cycle time is 468ps at RL = 36/40, clock-stop capability
- Operating temperature range is –40°C to +105°C, automotive certified, C design
- Clock rate is 2133MHz, data rate per pin is 4266Mb/s
- Ultra-low-voltage core and I/O power supplies
- 16n prefetch DDR architecture, 8 internal banks per channel for concurrent operation
- Single-data-rate CMD/ADR entry, bidirectional/differential data strobe per byte lane
- Programmable READ and WRITE latencies (RL/WL), selectable output drive strength (DS)
Technische Spezifikationen
DRAM-Ausführung
Mobile LPDDR4
Speicherkonfiguration
1G x 64 Bit
IC-Gehäuse / Bauform
TFBGA
Versorgungsspannung, nom.
1.1V
Betriebstemperatur, min.
-40°C
Produktpalette
-
Speicherdichte
64Gbit
Taktfrequenz, max.
2.133GHz
Anzahl der Pins
556Pin(s)
IC-Montage
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.
105°C
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001