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MT53D512M16D1DS-046 IT:D
DRAM, LPDDR4, 8GB, 512M x 16 Bit, 2.133GHz, WFBGA, 200 Pins
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerMICRON
HerstellerteilenummerMT53D512M16D1DS-046 IT:D
Bestellnummer4128273
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 8.690 |
| 10+ | CHF 8.070 |
| 25+ | CHF 7.810 |
| 50+ | CHF 7.620 |
| 100+ | CHF 7.440 |
| 250+ | CHF 7.190 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerMICRON
HerstellerteilenummerMT53D512M16D1DS-046 IT:D
Bestellnummer4128273
Technisches Datenblatt
DRAM-AusführungMobile LPDDR4
Speicherdichte8Gbit
Speicherkonfiguration512M x 16 Bit
Taktfrequenz, max.2.133GHz
IC-Gehäuse / BauformWFBGA
Anzahl der Pins200Pin(s)
Versorgungsspannung, nom.1.1V
IC-MontageOberflächenmontage
Betriebstemperatur, min.-40°C
Betriebstemperatur, max.95°C
Produktpalette-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Produktbeschreibung
- DRAM
- Data rate is 4266Mbps, density is 8Gb
- Width is x16
- Operating temperature range from -40 to +95°C
Technische Spezifikationen
DRAM-Ausführung
Mobile LPDDR4
Speicherkonfiguration
512M x 16 Bit
IC-Gehäuse / Bauform
WFBGA
Versorgungsspannung, nom.
1.1V
Betriebstemperatur, min.
-40°C
Produktpalette
-
Speicherdichte
8Gbit
Taktfrequenz, max.
2.133GHz
Anzahl der Pins
200Pin(s)
IC-Montage
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.
95°C
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Taiwan
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001611