Seite drucken
MT41K256M8DA-125 IT:K
DRAM, DDR3L, 2 Gbit, 256M x 8 Bit, 800 MHz, FBGA, 78 Pin(s)
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerMICRON
HerstellerteilenummerMT41K256M8DA-125 IT:K
Bestellnummer3530737
Technisches Datenblatt
2’114 auf Lager
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
1–2 Werktage Lieferzeit
Standard-Lieferung bei Bestellung vor 17:00 Uhr
| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 3.360 |
| 10+ | CHF 3.120 |
| 25+ | CHF 2.980 |
| 50+ | CHF 2.690 |
| 100+ | CHF 2.580 |
| 250+ | CHF 2.520 |
| 500+ | CHF 2.470 |
| 1000+ | CHF 2.420 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
CHF 3.36 (ohne MwSt.)
Bestellnr. /Hinweis zur Position hinzufügen
Nur für diese Bestellung zu Ihrer Auftragsbestätigung, Rechnung und Versandanzeige hinzugefügt.
Diese Nummer wird der Auftragsbestätigung, der Rechnung, dem Versandschein, der Webbestätigungs-E-Mail und dem Etikett hinzugefügt.
Produktspezifikationen
HerstellerMICRON
HerstellerteilenummerMT41K256M8DA-125 IT:K
Bestellnummer3530737
Technisches Datenblatt
DRAM-AusführungDDR3L
Speicherdichte2Gbit
Speicherkonfiguration256M x 8 Bit
Taktfrequenz, max.800MHz
IC-Gehäuse / BauformFBGA
Anzahl der Pins78Pin(s)
Versorgungsspannung, nom.1.5V
IC-MontageOberflächenmontage
Betriebstemperatur, min.-40°C
Betriebstemperatur, max.95°C
Produktpalette-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Produktbeschreibung
- DDR3L SDRAM (32 Meg x 8 x 8 banks)
- 256 Meg x 8 configuration, tCK = 1.25ns, CL = 11 speed grade
- VDD = VDDQ = 1.35V (1.283 to 1.45V), backward-compatible to VDD = VDDQ = 1.5V ±0.075V
- Differential bidirectional data strobe, 8n-bit prefetch architecture
- Differential clock inputs (CK, CK#), 8 internal banks
- Nominal and dynamic on-die termination (ODT) for data, strobe, and mask signals
- Programmable CAS (READ) latency (CL), programmable posted CAS additive latency (AL)
- Programmable CAS (WRITE) latency (CWL)
- Fixed burst length (BL) of 8 and burst chop (BC) of 4 (via the mode register set [MRS])
- 78-ball FBGA package, industrial temperature range from -40°C ≤ TC ≤ +95°C
Technische Spezifikationen
DRAM-Ausführung
DDR3L
Speicherkonfiguration
256M x 8 Bit
IC-Gehäuse / Bauform
FBGA
Versorgungsspannung, nom.
1.5V
Betriebstemperatur, min.
-40°C
Produktpalette
-
Speicherdichte
2Gbit
Taktfrequenz, max.
800MHz
Anzahl der Pins
78Pin(s)
IC-Montage
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.
95°C
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Singapore
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Singapore
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001934