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HerstellerMICRON
HerstellerteilenummerMT29F4G08ABAFAWP-AAT:F
Bestellnummer3861373
Produktpalette3.3V Parallel NAND Flash Memories
Technisches Datenblatt
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Menge | |
---|---|
1+ | CHF 3.650 |
10+ | CHF 3.400 |
25+ | CHF 3.240 |
50+ | CHF 2.910 |
100+ | CHF 2.810 |
250+ | CHF 2.750 |
500+ | CHF 2.660 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerMICRON
HerstellerteilenummerMT29F4G08ABAFAWP-AAT:F
Bestellnummer3861373
Produktpalette3.3V Parallel NAND Flash Memories
Technisches Datenblatt
Flash-SpeicherSLC-NAND
Speicherdichte4Gbit
Speicherkonfiguration512M x 8 Bit
SchnittstellenParallel
IC-Gehäuse / BauformTSOP
Anzahl der Pins48Pin(s)
Taktfrequenz, max.50MHz
Zugriffszeit-
Versorgungsspannung, min.-
Versorgungsspannung, max.-
Versorgungsspannung, nom.3.3V
IC-MontageOberflächenmontage
Betriebstemperatur, min.-40°C
Betriebstemperatur, max.105°C
Produktpalette3.3V Parallel NAND Flash Memories
MSLMSL 3 - 168 Stunden
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Produktbeschreibung
MT29F4G08ABAFAWP-AAT:F is a NAND flash memory. This NAND flash device includes an asynchronous data interface for high-performance I/O operations. This device uses a highly multiplexed 8-bit bus (I/Ox) to transfer commands, address, and data. A target is the unit of memory accessed by a chip enable signal. A target contains one or more NAND flash dies. A NAND flash die is the minimum unit that can independently execute commands and report status.
- Open NAND flash interface (ONFI) 1.0-compliant
- Single-level cell (SLC) technology
- Command set: ONFI NAND flash protocol
- Operation status method for detecting: operation completion
- Pass/fail condition, write-protect status
- Ready/Busy# (R/B#) signal provides a hardware method of detecting operation completion
- RESET (FFh) required after power-on
- Internal data move operations supported within the plane from which data is read
- 4Gb density, 8-bit device width, 3.3V (2.7 to 3.6V) operating voltage range
- 48-pin TSOP type 1 package, automotive temperature range from -40°C to +105°C
Technische Spezifikationen
Flash-Speicher
SLC-NAND
Speicherkonfiguration
512M x 8 Bit
IC-Gehäuse / Bauform
TSOP
Taktfrequenz, max.
50MHz
Versorgungsspannung, min.
-
Versorgungsspannung, nom.
3.3V
Betriebstemperatur, min.
-40°C
Produktpalette
3.3V Parallel NAND Flash Memories
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Speicherdichte
4Gbit
Schnittstellen
Parallel
Anzahl der Pins
48Pin(s)
Zugriffszeit
-
Versorgungsspannung, max.
-
IC-Montage
Oberflächenmontage
Betriebstemperatur, max.
105°C
MSL
MSL 3 - 168 Stunden
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Singapore
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Singapore
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85423290
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001