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IXFN170N65X2
MOSFET, N-CH, 650V, 170A, SOT-227
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerLITTELFUSE
HerstellerteilenummerIXFN170N65X2
Bestellnummer3771784
ProduktpaletteHiPERFET X2 Series
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 48.020 |
| 5+ | CHF 43.810 |
| 10+ | CHF 39.600 |
| 25+ | CHF 39.140 |
| 50+ | CHF 38.690 |
| 100+ | CHF 38.230 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
CHF 48.02 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerLITTELFUSE
HerstellerteilenummerIXFN170N65X2
Bestellnummer3771784
ProduktpaletteHiPERFET X2 Series
Technisches Datenblatt
KanaltypN Channel
Dauer-Drainstrom Id170A
Drain-Source-Spannung Vds650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.013ohm
Bauform - TransistorSOT-227
Rds(on)-Prüfspannung10V
TransistormontageModule
Gate-Source-Schwellenspannung, max.5V
Verlustleistung1.17kW
Betriebstemperatur, max.150°C
Anzahl der Pins4Pin(s)
Qualifikation-
ProduktpaletteHiPERFET X2 Series
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
N Channel
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Bauform - Transistor
SOT-227
Transistormontage
Module
Verlustleistung
1.17kW
Anzahl der Pins
4Pin(s)
Produktpalette
HiPERFET X2 Series
Dauer-Drainstrom Id
170A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.013ohm
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
5V
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:South Korea
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:South Korea
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:0
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Y-Ex
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.044453
Produktnachverfolgung