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IXTP3N120
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 3 A, 4.5 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerIXYS SEMICONDUCTOR
HerstellerteilenummerIXTP3N120
Bestellnummer1427369
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 6.460 |
| 5+ | CHF 5.920 |
| 10+ | CHF 5.400 |
| 50+ | CHF 4.860 |
| 100+ | CHF 4.420 |
| 250+ | CHF 4.330 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
CHF 6.46 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerIXYS SEMICONDUCTOR
HerstellerteilenummerIXTP3N120
Bestellnummer1427369
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds1.2kV
Dauer-Drainstrom Id3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand4.5ohm
Bauform - TransistorTO-220
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.5V
Verlustleistung200W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
Produktbeschreibung
IXTP3N120 ist ein Avalanche-fähiger Hochspannungs-n-Kanal-Leistungs-MOSFET (Anreicherungstyp), der für Unclamped Inductive Load Switching (UIS) ausgelegt ist.
- Gutes dV/dt-Verhalten
- Gehäuse entspricht internationalem Standard
- Niedriger RDS(ON)
- Brandverhalten: UL 94 V-0
- Einfache Montage
- Platzeinsparungen
- Hohe Leistungsdichte
Anwendungen
Industrie, Power-Management
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
3A
Bauform - Transistor
TO-220
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
200W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Drain-Source-Spannung Vds
1.2kV
Drain-Source-Durchgangswiderstand
4.5ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
5V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Germany
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Germany
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.004
Produktnachverfolgung