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IXTP14N60X2
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.25 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerIXYS SEMICONDUCTOR
HerstellerteilenummerIXTP14N60X2
Bestellnummer3576945
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 5.130 |
| 10+ | CHF 2.730 |
| 100+ | CHF 2.490 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerIXYS SEMICONDUCTOR
HerstellerteilenummerIXTP14N60X2
Bestellnummer3576945
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds600V
Dauer-Drainstrom Id14A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.25ohm
Bauform - TransistorTO-220
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4.5V
Verlustleistung180W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
Produktbeschreibung
Warnungen und Hinweise
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Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
14A
Bauform - Transistor
TO-220
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
180W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
600V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.25ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4.5V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
SVHC
No SVHC (12-Jan-2017)
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (12-Jan-2017)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.004
Produktnachverfolgung