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IXFN80N50
MOSFET-Transistor, HiPerFET, n-Kanal, 80 A, 500 V, 0.055 ohm, 10 V, 4.5 V
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerIXYS SEMICONDUCTOR
HerstellerteilenummerIXFN80N50
Bestellnummer7348029
ProduktpaletteHiPerFET Series
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 52.170 |
| 5+ | CHF 49.560 |
| 10+ | CHF 37.890 |
| 50+ | CHF 36.870 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerIXYS SEMICONDUCTOR
HerstellerteilenummerIXFN80N50
Bestellnummer7348029
ProduktpaletteHiPerFET Series
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Wandlerpolaritätn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id80A
Drain-Source-Spannung Vds500V
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.055ohm
Betriebswiderstand, Rds(on)0.055ohm
Rds(on)-Prüfspannung10V
TransistormontageModul
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4.5V
Verlustleistung780W
Verlustleistung Pd780W
Bauform - TransistorISOTOP
Betriebstemperatur, max.150°C
Anzahl der Pins4Pin(s)
Qualifikation-
ProduktpaletteHiPerFET Series
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Produktbeschreibung
Beim Modell IXFN80N50 handelt es sich um einen n-Kanal-Leistungs-MOSFET (Anreicherungstyp) mit miniBLOC mit Aluminiumnitrid-Isolierung, HDMOSTM-Verfahren mit niedrigem RDS(on) und robuster Polysilizium-Gate-Zellen-Struktur, ausgelegt für Unclamped Inductive Switching (UIS).
- Intrinsischer Gleichrichter mit kurzer Erholzeit
- Gutes dV/dt-Verhalten
- Robuste Polysilizium-Gate-Zellen-Struktur
- Einfache Montage
- Platzeinsparungen
- Hohe Leistungsdichte
Anwendungen
Power-Management, Beleuchtung, Motorantrieb & -steuerung
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
80A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.055ohm
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4.5V
Verlustleistung Pd
780W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Wandlerpolarität
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
500V
Betriebswiderstand, Rds(on)
0.055ohm
Transistormontage
Modul
Verlustleistung
780W
Bauform - Transistor
ISOTOP
Anzahl der Pins
4Pin(s)
Produktpalette
HiPerFET Series
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Germany
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Germany
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.234507