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IXFN200N10P
MOSFET-Transistor, PolarFET, n-Kanal, 200 A, 100 V, 0.0075 ohm, 15 V, 5 V
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerIXYS SEMICONDUCTOR
HerstellerteilenummerIXFN200N10P
Bestellnummer1427322
ProduktpalettePolar(TM) HiPerFET
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 24.540 |
| 5+ | CHF 21.260 |
| 10+ | CHF 17.970 |
| 50+ | CHF 17.390 |
| 100+ | CHF 16.800 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
CHF 24.54 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerIXYS SEMICONDUCTOR
HerstellerteilenummerIXFN200N10P
Bestellnummer1427322
ProduktpalettePolar(TM) HiPerFET
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id200A
Drain-Source-Spannung Vds100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0075ohm
Bauform - TransistorISOTOP
Rds(on)-Prüfspannung15V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.5V
TransistormontageModul
Verlustleistung680W
Betriebstemperatur, max.175°C
Anzahl der Pins4Pin(s)
ProduktpalettePolar(TM) HiPerFET
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Produktbeschreibung
Beim Modell IXFN200N10P handelt es sich um einen n-Kanal-Leistungs-MOSFET (Anreicherungstyp) mit miniBLOC mit Aluminiumnitrid-Isolierung, HDMOSTM-Verfahren mit niedrigem RDS(on) und robuster Polysilizium-Gate-Zellen-Struktur, ausgelegt für Unclamped Inductive Switching (UIS).
- Intrinsischer Gleichrichter mit kurzer Erholzeit
- Robuste Polysilizium-Gate-Zellen-Struktur
- Epoxidgehäuse ist flammfest gemäß UL94V-0
- Robuste Polysilizium-Gate-Zellen-Struktur
- Einfache Montage
- Hohe Leistungsdichte
- Platzeinsparungen
Anwendungen
Power-Management, Beleuchtung
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
100V
Bauform - Transistor
ISOTOP
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
5V
Verlustleistung
680W
Anzahl der Pins
4Pin(s)
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Dauer-Drainstrom Id
200A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0075ohm
Rds(on)-Prüfspannung
15V
Transistormontage
Modul
Betriebstemperatur, max.
175°C
Produktpalette
Polar(TM) HiPerFET
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Germany
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Germany
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.03
Produktnachverfolgung