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IXFN180N15P
MOSFET-Transistor, n-Kanal, 150 A, 150 V, 0.011 ohm, 10 V, 5 V
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerIXYS SEMICONDUCTOR
HerstellerteilenummerIXFN180N15P
Bestellnummer1427321
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 24.540 |
| 5+ | CHF 21.260 |
| 10+ | CHF 17.970 |
| 50+ | CHF 17.530 |
| 100+ | CHF 17.090 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
CHF 24.54 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerIXYS SEMICONDUCTOR
HerstellerteilenummerIXFN180N15P
Bestellnummer1427321
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id150A
Drain-Source-Spannung Vds150V
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.011ohm
Bauform - TransistorISOTOP
Rds(on)-Prüfspannung10V
TransistormontageModul
Gate-Source-Schwellenspannung, max.5V
Verlustleistung680W
Betriebstemperatur, max.175°C
Anzahl der Pins4Pin(s)
Produktpalette-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Produktbeschreibung
Beim Modell IXFN180N15P handelt es sich um einen 150V-n-Kanal-PolarHV™-Leistungs-MOSFET (Anreicherungstyp) mit schneller intrinsischer Diode (HiPerFET™). Der beliebteste Leistungs-MOSFET (HiPerFET™) von IXYS eignet sich für hart schaltende und resonante Topologien. Dieser MOSFET zeichnet sich durch eine niedrige Gate-Ladung und eine hervorragende Robustheit mit einer schnellen intrinsischen Diode aus.
- Epoxidgehäuse ist flammfest gemäß UL94V-0
- miniBLOC mit Aluminiumnitrid-Isolierung
- Diode mit kurzer Erholzeit
- Ausgelegt für Unclamped Inductive Switching (UIS)
- Niedrige Gehäuseinduktivität
- Hohe Leistungsdichte
- Einfache Montage
- Platzsparend
Anwendungen
Industrie
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
150V
Bauform - Transistor
ISOTOP
Transistormontage
Modul
Verlustleistung
680W
Anzahl der Pins
4Pin(s)
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Dauer-Drainstrom Id
150A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.011ohm
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
5V
Betriebstemperatur, max.
175°C
Produktpalette
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Germany
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Germany
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.040823