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HerstellerIXYS SEMICONDUCTOR
HerstellerteilenummerIXFA7N100P
Bestellnummer3438371
ProduktpalettePolar HiPerFET
Technisches Datenblatt
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Menge | |
---|---|
1+ | CHF 5.440 |
5+ | CHF 4.670 |
10+ | CHF 3.900 |
50+ | CHF 3.130 |
100+ | CHF 3.080 |
250+ | CHF 3.030 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerIXYS SEMICONDUCTOR
HerstellerteilenummerIXFA7N100P
Bestellnummer3438371
ProduktpalettePolar HiPerFET
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds1kV
Dauer-Drainstrom Id7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand1.9ohm
Bauform - TransistorTO-263 (D2PAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.6V
Verlustleistung300W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
ProduktpalettePolar HiPerFET
Qualifikation-
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
7A
Bauform - Transistor
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
300W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
Lead (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
1kV
Drain-Source-Durchgangswiderstand
1.9ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
6V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
Polar HiPerFET
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:United States
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:United States
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:Lead (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.004
Produktnachverfolgung