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SPB20N60C3ATMA1
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20.7 A, 0.19 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerSPB20N60C3ATMA1
Bestellnummer1056541RL
Auch bekannt alsSPB20N60C3, SP000013520
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 50+ | CHF 2.350 |
| 200+ | CHF 1.950 |
| 500+ | CHF 1.710 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 100
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerSPB20N60C3ATMA1
Bestellnummer1056541RL
Auch bekannt alsSPB20N60C3, SP000013520
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds650V
Dauer-Drainstrom Id20.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.19ohm
Bauform - TransistorTO-263 (D2PAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3V
Verlustleistung208W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.150°C
Produktpalette-
Qualifikation-
Produktbeschreibung
Beim Modell SPB20N60C3 handelt es sich um einen 650V-n-Kanal-Leistungs-MOSFET mit CoolMOS™-Technologie und äußerst niedrigem Gate-Strom, der sich für Server-, Telekommunikations-, PC-Stromversorgungs- und Adapter-Anwendungen eignet.
- Neue, revolutionäre Hochspannungstechnologie
- Hervorragendes dV/dt-Verhalten
- Hohe Spitzenstrombelastbarkeit
- Nach JEDEC qualifiziert für Zielanwendungen
- Verbesserte Transkonduktanz
- Niedriger spezifischer Durchgangswiderstand
- Sehr niedrige Energiespeicherung in Ausgangskapazität (Eoss) bei 400V
- Bewährte CoolMOS™-Qualität
- Avalanche-fähig, periodisch
- Hoher Wirkungsgrad und hohe Leistungsdichte
- Herausragende Leistung
- Hohe Zuverlässigkeit
- Benutzerfreundlich
Anwendungen
Industrie, Kommunikation & Netzwerke, Unterhaltungselektronik, Power-Management
Warnungen und Hinweise
Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
20.7A
Bauform - Transistor
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
208W
Betriebstemperatur, max.
150°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.19ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.002