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ISZ0702NLSATMA1
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 86 A, 0.0039 ohm, TSDSON, Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 100+ | CHF 0.684 |
| 500+ | CHF 0.546 |
| 1000+ | CHF 0.479 |
| 5000+ | CHF 0.408 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerISZ0702NLSATMA1
Bestellnummer3794552RL
ProduktpaletteOptiMOS 5
Auch bekannt alsSP005417427, ISZ0702NLS
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Wandlerpolaritätn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds60V
Dauer-Drainstrom Id86A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0039ohm
Betriebswiderstand, Rds(on)0.0039ohm
Bauform - TransistorTSDSON
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.1.6V
Verlustleistung Pd65W
Verlustleistung65W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteOptiMOS 5
Qualifikation-
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie-
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
60V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0039ohm
Bauform - Transistor
TSDSON
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung Pd
65W
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
OptiMOS 5
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie
-
Wandlerpolarität
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
86A
Betriebswiderstand, Rds(on)
0.0039ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
1.6V
Verlustleistung
65W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000121
Produktnachverfolgung