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HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerISC028N03LF2SATMA1
Bestellnummer4645877
ProduktpaletteStrongIRFET 2 Series
Technisches Datenblatt
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Menge | |
---|---|
1+ | CHF 0.710 |
10+ | CHF 0.525 |
100+ | CHF 0.418 |
500+ | CHF 0.358 |
1000+ | CHF 0.326 |
5000+ | CHF 0.303 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 1
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerISC028N03LF2SATMA1
Bestellnummer4645877
ProduktpaletteStrongIRFET 2 Series
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds30V
Dauer-Drainstrom Id128A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0028ohm
Bauform - TransistorTDSON
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.2.35V
Verlustleistung83W
Anzahl der Pins8Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteStrongIRFET 2 Series
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
128A
Bauform - Transistor
TDSON
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
83W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0028ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
2.35V
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Produktpalette
StrongIRFET 2 Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Keine Angabe
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung