Seite drucken
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIRLR3705ZTRPBF
Bestellnummer2468058
Auch bekannt alsSP001576986
Technisches Datenblatt
158 auf Lager
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
1–2 Werktage Lieferzeit
Standard-Lieferung bei Bestellung vor 17:00 Uhr
Menge | |
---|---|
1+ | CHF 1.850 |
10+ | CHF 1.180 |
100+ | CHF 0.856 |
500+ | CHF 0.691 |
1000+ | CHF 0.651 |
5000+ | CHF 0.542 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 1
Mehrere: 1
CHF 1.85 (ohne MwSt.)
Bestellnr. /Hinweis zur Position hinzufügen
Nur für diese Bestellung zu Ihrer Auftragsbestätigung, Rechnung und Versandanzeige hinzugefügt.
Diese Nummer wird der Auftragsbestätigung, der Rechnung, dem Versandschein, der Webbestätigungs-E-Mail und dem Etikett hinzugefügt.
Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIRLR3705ZTRPBF
Bestellnummer2468058
Auch bekannt alsSP001576986
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds55V
Dauer-Drainstrom Id42A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.008ohm
Bauform - TransistorTO-252AA
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3V
Verlustleistung130W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
Qualifikation-
Produktbeschreibung
Beim Modell IRLR3705ZTRPBF handelt es sich um einen einfachen n-Kanal-Leistungs-MOSFET mit HEXFET®-Technologie, der moderne Verfahrenstechniken verwendet, um einen äußerst niedrigen ON-Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Zudem weist dieser MOSFET eine Sperrschicht-Betriebstemperatur von 175°C, eine hohe Schaltfrequenz sowie eine verbesserte wiederholte Avalanche-Fähigkeit auf. Diese Merkmale machen ihn zu einem sehr zuverlässigen Baustein mit äußerst hohem Wirkungsgrad zur Verwendung in zahlreichen Anwendungen.
- Fortschrittliche Verfahrenstechnologie
- Wiederholt Avalanche-fähig bis Tjmax
- Logikpegel
Anwendungen
Power-Management
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
42A
Bauform - Transistor
TO-252AA
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
130W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
55V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.008ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (1)
Alternativen für IRLR3705ZTRPBF
4 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Mexico
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Mexico
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001134
Produktnachverfolgung