IRFR6215TRPBF
Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 13 A, 0.295 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 1.600 |
| 10+ | CHF 1.140 |
| 100+ | CHF 0.766 |
| 500+ | CHF 0.618 |
| 1000+ | CHF 0.570 |
| 5000+ | CHF 0.469 |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
Beim Modell IRFR6215TRPBF handelt es sich um einen einfachen HEXFET®-p-Kanal-Leistungs-MOSFET der fünften Generation, der fortschrittliche Verfahrenstechniken verwendet, um einen äußerst niedrigen Durchgangswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. In Kombination mit der hohen Schaltfrequenz und dem robusten Design entsteht so ein äußerst effizienter Baustein für zahlreiche Anwendungen. Das Gehäuse eignet sich zur Oberflächenmontage mittels Dampfphasen-, Infrarot- oder Wellenlötverfahren. In typischen SMD-Anwendungen sind Verlustleistungspegel von bis zu 1.5W möglich.
- Fortschrittliche Verfahrenstechnologie
- Hohe Schaltfrequenz
- Vollständig Avalanche-fähig
- Niedriger statischer Drain/Source-Durchgangswiderstand
- Dynamische Spannungsänderungsrate (dv/dt)
Anwendungen
Fahrzeugelektronik, Power-Management
Warnungen und Hinweise
Market demand for this product has caused an extension in lead times, delivery dates may fluctuate
Technische Spezifikationen
p-Kanal
13A
TO-252AA
10V
110W
175°C
-
No SVHC (21-Jan-2025)
150V
0.295ohm
Oberflächenmontage
4V
3Pin(s)
-
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (2)
Alternativen für IRFR6215TRPBF
1 Produkt(e) gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat