IRFP4768PBF
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 56 A, 0.0175 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 4.290 |
| 10+ | CHF 4.200 |
| 100+ | CHF 4.120 |
| 500+ | CHF 4.040 |
| 1000+ | CHF 3.940 |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
Beim Modell IRFP4768PBF handelt es sich um einen einfachen 250V-n-Kanal-Leistungs-MOSFET mit HEXFET®-Technologie, der einen äußerst geringen Durchgangswiderstand (RDS(on)) pro Siliziumfläche sowie eine hohe Schaltfrequenz dank der Trench-MOSFET-Technologie bietet. Der Baustein ist für die Synchrongleichrichtung mit hohem Wirkungsgrad in Schaltnetzteilen, unterbrechungsfreien Stromversorgungen, High-Speed-Leistungsschaltern, hartschaltenden Schaltungen und Hochfrequenzschaltungen geeignet.
- Verbessertes Gate-, Avalanche- und dynamisches dV/dt-Verhalten
- SOA-Schutz mit vollständig charakterisierter Kapazität und Avalanche-Verhalten
- Verbessertes dV/dt- und dI/dt-Verhalten der Body-Diode
Anwendungen
Power-Management
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab
Technische Spezifikationen
n-Kanal
56A
TO-247AC
10V
520W
175°C
-
No SVHC (21-Jan-2025)
250V
0.0175ohm
Durchsteckmontage
5V
3Pin(s)
-
-
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Mexico
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
RoHS
Produkt-Konformitätszertifikat