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IRFB5620PBF

Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 25 A, 0.06 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage

INFINEON IRFB5620PBF
×

Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.

Herstellerteilenummer:
IRFB5620PBF
Bestellnummer:
1704511
Auch bekannt als:
SP001565852
Technisches Datenblatt:
IRFB5620PBF   Datasheet
Technische Dokumentation anzeigen

Produktbeschreibung

IRFB5620PBF ist ein einfacher n-Kanal-Leistungs-MOSFET mit HEXFET®-Technologie, der die modernsten Verfahrenstechniken verwendet, um einen äußerst niedrigen Durchgangswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Der Baustein bietet außerdem eine optimierte Gate-Ladung, Reverse-Recovery der Body-Diode und einen optimierten internen Gate-Widerstand, sodass Schlüsselfaktoren für die Leistung des Class-D-Audioverstärkers verbessert werden, wie Wirkungsgrad, THD und EMV. Zudem weist dieser MOSFET eine Sperrschicht-Betriebstemperatur von 175°C sowie eine verbesserte wiederholte Avalanche-Fähigkeit auf. Diese Merkmale machen ihn zu einem sehr robusten und zuverlässigen Baustein mit äußerst hohem Wirkungsgrad. Er liefert bis zu 300W pro Kanal in eine 8R-Last in Verstärkern mit Halbbrückenkonfiguration und ist für Vollbrücken- und Push-Pull-Anwendungen geeignet.
  • Low RDS (ON) for improved efficiency
  • Low Qg and Qsw for better THD and improved efficiency
  • Low QRR for better THD and lower EMI

Anwendungen

Audio, Unterhaltungselektronik, Power-Management

Warnungen und Hinweise

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Produktspezifikationen

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:
n-Kanal

:
25A

:
200V

:
0.06ohm

:
10V

:
5V

:
Durchsteckmontage

:
144W

:
TO-220AB

:
3Pin(s)

:
175°C

:
-

:
-

:
-

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