IRFB5620PBF

IRFB5620PBF ist ein einfacher n-Kanal-Leistungs-MOSFET mit HEXFET®-Technologie, der die modernsten Verfahrenstechniken verwendet, um einen äußerst niedrigen Durchgangswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Der Baustein bietet außerdem eine optimierte Gate-Ladung, Reverse-Recovery der Body-Diode und einen optimierten internen Gate-Widerstand, sodass Schlüsselfaktoren für die Leistung des Class-D-Audioverstärkers verbessert werden, wie Wirkungsgrad, THD und EMV. Zudem weist dieser MOSFET eine Sperrschicht-Betriebstemperatur von 175°C sowie eine verbesserte wiederholte Avalanche-Fähigkeit auf. Diese Merkmale machen ihn zu einem sehr robusten und zuverlässigen Baustein mit äußerst hohem Wirkungsgrad. Er liefert bis zu 300W pro Kanal in eine 8Ω-Last in Verstärkern mit Halbbrückenkonfiguration und ist für Vollbrücken- und Push-Pull-Anwendungen geeignet.

• Low RDS (ON) for improved efficiency
• Low Qg and Qsw for better THD and improved efficiency
• Low QRR for better THD and lower EMI

Anwendungen

Audio, Unterhaltungselektronik, Power-Management

Warnungen und Hinweise

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