IRF7342TRPBF
Dual-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 55 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.095 ohm
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 1.420 |
| 10+ | CHF 0.932 |
| 100+ | CHF 0.620 |
| 500+ | CHF 0.552 |
| 1000+ | CHF 0.505 |
| 5000+ | CHF 0.425 |
Produktspezifikationen
Produktbeschreibung
Beim Modell IRF7342TRPBF handelt es sich um einen zweifachen p-Kanal-MOSFET, der fortschrittliche Verfahrenstechniken verwendet, um den niedrigsten möglichen Durchgangswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. In Kombination mit der hohen Schaltfrequenz und dem robusten Design entsteht so ein äußerst effizienter Baustein zur Verwendung in zahlreichen Anwendungen. Das SO-8-Gehäuse wurde modifiziert durch einen benutzerdefinierten Leiterrahmen für ein verbessertes Wärmeverhalten und Dual-Die-Funktionalität, wodurch sich der Baustein hervorragend in zahlreichen Stromversorgungsanwendungen eignet. Mit diesen Verbesserungen können mehrere Bausteine in einer Anwendung verwendet werden mit deutlich weniger Platzverbrauch auf der Leiterplatte.
- Technologie der Generation V
- Äußerst niedriger Durchgangswiderstand (RDS(on))
- SMD-Baustein
- Dynamische Spannungsänderungsrate (dv/dt)
- Hohe Schaltfrequenz
Anwendungen
Industrie, Power-Management
Technische Spezifikationen
p-Kanal
55V
3.4A
0.095ohm
8Pin(s)
2W
-
-
55V
3.4A
0.095ohm
SOIC
2W
150°C
-
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (4)
Zugehörige Produkte
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Gesetzgebung und Umweltschutz
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Philippines
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
RoHS
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Produkt-Konformitätszertifikat