Seite drucken
IRF7341GTRPBF
Dual-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 55 V, 5.1 A, 5.1 A, 0.043 ohm
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIRF7341GTRPBF
Bestellnummer2839483
ProduktpaletteHEXFET Series
Auch bekannt alsIRF7341GTRPBF, SP001563394
Technisches Datenblatt
3’389 auf Lager
Ihr Bedarf geht darüber hinaus?
EXPRESS-Lieferung in 1–2 Arbeitstagen
Bestellung vor 17:00
KOSTENLOSE Standardlieferung
für Bestellungen ab CHF 0.00
Genaue Lieferzeiten werden an der Kasse berechnet
| Menge | |
|---|---|
| 5+ | CHF 1.980 |
| 50+ | CHF 1.170 |
| 250+ | CHF 0.968 |
| 1000+ | CHF 0.799 |
| 2000+ | CHF 0.716 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 5
Mehrere: 5
CHF 9.90 (ohne MwSt.)
Bestellnr. /Hinweis zur Position hinzufügen
Nur für diese Bestellung zu Ihrer Auftragsbestätigung, Rechnung und Versandanzeige hinzugefügt.
Diese Nummer wird der Auftragsbestätigung, der Rechnung, dem Versandschein, der Webbestätigungs-E-Mail und dem Etikett hinzugefügt.
Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIRF7341GTRPBF
Bestellnummer2839483
ProduktpaletteHEXFET Series
Auch bekannt alsIRF7341GTRPBF, SP001563394
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal55V
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal55V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal5.1A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal0.043ohm
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal0.043ohm
Bauform - TransistorSOIC
Anzahl der Pins8Pin(s)
Verlustleistung, n-Kanal1.7W
Verlustleistung, p-Kanal1.7W
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteHEXFET Series
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
HEXFET® power MOSFET utilize the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area.
- Advanced process technology
- Dual N-channel MOSFET
- Ultra-low on-resistance
- 175°C operating temperature
- Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
Warnungen und Hinweise
Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal
55V
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal
5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal
0.043ohm
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Verlustleistung, p-Kanal
1.7W
Produktpalette
HEXFET Series
MSL
-
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal
55V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal
5.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal
0.043ohm
Bauform - Transistor
SOIC
Verlustleistung, n-Kanal
1.7W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Produkt-Konformitätszertifikat herunterladen
Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0001
Produktnachverfolgung