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IRF520NPBF
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 9.7 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIRF520NPBF
Bestellnummer9103031
Auch bekannt alsSP001571310
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 0.644 |
| 10+ | CHF 0.634 |
| 100+ | CHF 0.359 |
| 500+ | CHF 0.325 |
| 1000+ | CHF 0.306 |
| 5000+ | CHF 0.299 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
CHF 0.64 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIRF520NPBF
Bestellnummer9103031
Auch bekannt alsSP001571310
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds100V
Dauer-Drainstrom Id9.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.2ohm
Bauform - TransistorTO-220AB
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4V
Verlustleistung47W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
Qualifikation-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktbeschreibung
Beim Modell IRF520NPBF handelt es sich um einen n-Kanal-Leistungs-MOSFET mit HEXFET®-Technologie, der einen äußerst niedrigen Durchgangswiderstand pro Siliziumfläche sowie eine schnelle Schaltfrequenz bietet. In Kombination mit der robusten Konstruktion, für die HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, entsteht so ein äußerst effizienter und zuverlässiger Baustein für zahlreiche Anwendungen.
- Dynamische Spannungsänderungsrate (dv/dt)
- Vollständig Avalanche-fähig
- Fortschrittliche Verfahrenstechnologie
Anwendungen
Power-Management
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
9.7A
Bauform - Transistor
TO-220AB
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
47W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.2ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
-
Technische Dokumente (2)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.002041