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HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIPP129N10NF2SAKMA1
Bestellnummer3680232
ProduktpaletteStrongIRFET 2
Auch bekannt alsIPP129N10NF2S, SP005549093
Technisches Datenblatt
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Menge | |
---|---|
1+ | CHF 1.550 |
10+ | CHF 1.480 |
100+ | CHF 0.782 |
500+ | CHF 0.641 |
1000+ | CHF 0.531 |
5000+ | CHF 0.446 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIPP129N10NF2SAKMA1
Bestellnummer3680232
ProduktpaletteStrongIRFET 2
Auch bekannt alsIPP129N10NF2S, SP005549093
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds100V
Dauer-Drainstrom Id52A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0116ohm
Bauform - TransistorTO-220
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3V
Verlustleistung71W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteStrongIRFET 2
Qualifikation-
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
52A
Bauform - Transistor
TO-220
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
71W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
100V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0116ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
StrongIRFET 2
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.002
Produktnachverfolgung