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IPP120N20NFDAKSA1
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 84 A, 0.012 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIPP120N20NFDAKSA1
Bestellnummer2480855
Auch bekannt alsIPP120N20NFD, SP001108122
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 3.980 |
| 10+ | CHF 3.150 |
| 100+ | CHF 2.990 |
| 500+ | CHF 2.830 |
| 1000+ | CHF 2.670 |
Preiseinheit:Stück
Minimum: 1
Mehrere: 1
CHF 3.98 (ohne MwSt.)
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIPP120N20NFDAKSA1
Bestellnummer2480855
Auch bekannt alsIPP120N20NFD, SP001108122
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds200V
Dauer-Drainstrom Id84A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.012ohm
Bauform - TransistorTO-220
TransistormontageDurchsteckmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3V
Verlustleistung300W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
Produktpalette-
Qualifikation-
Produktbeschreibung
The IPP120N20NFD is a N-channel Power MOSFET with improved hard commutation ruggedness. This new OptiMOS™ fast diode (FD), Infineon's latest generation of power MOSFET is optimized for body diode hard commutation. It is the perfect choice for hard switching applications.
- Industry's lowest RDS (ON), Qg and Qrr
- Halogen-free, Green device
- Highest system reliability
- Highest efficiency and power density
- Easy-to-design products
- Normal level
- Qualified according to JEDEC for target application
Anwendungen
Power-Management, Motorantrieb & -steuerung, Audio, Kommunikation & Netzwerke
Warnungen und Hinweise
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
84A
Bauform - Transistor
TO-220
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
300W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
200V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.012ohm
Transistormontage
Durchsteckmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
-
MSL
MSL 1 - unbegrenzt
Technische Dokumente (3)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.023587
Produktnachverfolgung