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HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIPD029N04NF2SATMA1
Bestellnummer4154492
ProduktpaletteStrongIRFET 2 Series
Auch bekannt alsSP005633202
Technisches Datenblatt
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Menge | |
---|---|
1+ | CHF 0.935 |
10+ | CHF 0.763 |
100+ | CHF 0.594 |
500+ | CHF 0.504 |
1000+ | CHF 0.430 |
5000+ | CHF 0.364 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 1
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIPD029N04NF2SATMA1
Bestellnummer4154492
ProduktpaletteStrongIRFET 2 Series
Auch bekannt alsSP005633202
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds40V
Dauer-Drainstrom Id131A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0024ohm
Bauform - TransistorTO-252 (DPAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3.4V
Verlustleistung107W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteStrongIRFET 2 Series
Qualifikation-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
131A
Bauform - Transistor
TO-252 (DPAK)
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
107W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
Drain-Source-Spannung Vds
40V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0024ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3.4V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
StrongIRFET 2 Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung