IPD025N06NATMA1

Beim Modell IPD025N06N handelt es sich um einen OptiMOS™-n-Kanal-Leistungs-MOSFET für die Synchrongleichrichtung in Schaltnetzteilen (SNT). Zudem kann dieser Baustein für zahlreiche industrielle Anwendungen eingesetzt werden, einschließlich Mikro-Solarwechselrichter und DC/DC-Wandler mit hoher Schaltfrequenz.

• Höchster Systemwirkungsgrad
• Erfordert weniger Parallelschaltung
• Höhere Leistungsdichte
• Sehr geringes Spannungsüberschwingen
• Schutzart: MSL1
• 40% niedrigerer RDS (ON) im Vergleich zu alternativen Bausteinen
• Verbesserung der Gütezahl (FOM) um 40% im Vergleich zu ähnlichen Bausteinen
• 100% Avalanche-getestet
• Herausragender Wärmewiderstand
• Nach JEDEC qualifiziert für Zielanwendungen
• Halogenfrei, umweltfreundlich
• Normal-Level

Anwendungen

Power-Management, Motorantrieb & -steuerung, Industrie, Kommunikation & Netzwerke, Computer & Computerperipheriegeräte, Unterhaltungselektronik, Tragbare Geräte

Warnungen und Hinweise

Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.