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IPB024N08N5ATMA1
Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 120 A, 0.0021 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 1.320 |
| 10+ | CHF 1.290 |
| 100+ | CHF 1.260 |
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIPB024N08N5ATMA1
Bestellnummer3816954
ProduktpaletteOptiMOS 5
Auch bekannt alsSP001227044, IPB024N08N5
Technisches Datenblatt
Kanaltypn-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds80V
Dauer-Drainstrom Id120A
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.0021ohm
Bauform - TransistorTO-263 (D2PAK)
TransistormontageOberflächenmontage
Rds(on)-Prüfspannung10V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.3V
Verlustleistung214W
Anzahl der Pins3Pin(s)
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteOptiMOS 5
Qualifikation-
MSL-
Technische Spezifikationen
Kanaltyp
n-Kanal
Dauer-Drainstrom Id
120A
Bauform - Transistor
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)-Prüfspannung
10V
Verlustleistung
214W
Betriebstemperatur, max.
175°C
Qualifikation
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain-Source-Spannung Vds
80V
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.0021ohm
Transistormontage
Oberflächenmontage
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
3V
Anzahl der Pins
3Pin(s)
Produktpalette
OptiMOS 5
MSL
-
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.0006
Produktnachverfolgung