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IMZA65R039M1HXKSA1
Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 50 A, 650 V, 0.039 ohm, TO-247
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIMZA65R039M1HXKSA1
Bestellnummer3889206
ProduktpaletteCoolSiC Series
Auch bekannt alsSP005423796, IMZA65R039M1H
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 8.990 |
| 5+ | CHF 8.950 |
| 10+ | CHF 8.910 |
| 50+ | CHF 4.970 |
| 100+ | CHF 4.870 |
Preiseinheit:Stück
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Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIMZA65R039M1HXKSA1
Bestellnummer3889206
ProduktpaletteCoolSiC Series
Auch bekannt alsSP005423796, IMZA65R039M1H
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationEins
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id50A
Drain-Source-Spannung Vds650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.039ohm
Bauform - TransistorTO-247
Anzahl der Pins4Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung18V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.4.5V
Verlustleistung176W
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteCoolSiC Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Eins
Dauer-Drainstrom Id
50A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.039ohm
Anzahl der Pins
4Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
4.5V
Betriebstemperatur, max.
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Bauform - Transistor
TO-247
Rds(on)-Prüfspannung
18V
Verlustleistung
176W
Produktpalette
CoolSiC Series
Technische Dokumente (1)
Zugehörige Produkte
4 Produkte gefunden
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:China
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001
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