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IMT65R083M1HXUMA1
Siliziumkarbid-MOSFET, n-Kanal, 32 A, 650 V, 0.083 ohm, HSOF
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIMT65R083M1HXUMA1
Bestellnummer4228387
ProduktpaletteCoolSiC Trench Series
Auch bekannt alsIMT65R083M1H, SP005716851
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 1+ | CHF 5.740 |
| 10+ | CHF 4.090 |
| 100+ | CHF 2.980 |
| 500+ | CHF 2.350 |
| 1000+ | CHF 2.300 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 1
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIMT65R083M1HXUMA1
Bestellnummer4228387
ProduktpaletteCoolSiC Trench Series
Auch bekannt alsIMT65R083M1H, SP005716851
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-Konfiguration-
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id32A
Drain-Source-Spannung Vds650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.083ohm
Bauform - TransistorHSOF
Anzahl der Pins8Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung18V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.5.7V
Verlustleistung158W
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteCoolSiC Trench Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
-
Dauer-Drainstrom Id
32A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.083ohm
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
5.7V
Betriebstemperatur, max.
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Bauform - Transistor
HSOF
Rds(on)-Prüfspannung
18V
Verlustleistung
158W
Produktpalette
CoolSiC Trench Series
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Ja
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.001
Produktnachverfolgung