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IMT65R033M2HXUMA1
Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 68 A, 650 V, 0.03 ohm, HSOF
Abbildung ggf. ähnlich. Alle Angaben ohne Gewähr. Ausschlaggebend sind die Produktinformationen des Herstellers.
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIMT65R033M2HXUMA1
Bestellnummer4677112RL
ProduktpaletteCoolSiC Gen 2 Series
Auch bekannt alsIMT65R033M2H, SP006051125
Technisches Datenblatt
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| Menge | |
|---|---|
| 10+ | CHF 6.820 |
| 50+ | CHF 6.160 |
| 100+ | CHF 5.680 |
| 250+ | CHF 5.620 |
Preiseinheit:Stück (Gurtabschnitt)
Minimum: 10
Mehrere: 1
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Produktspezifikationen
HerstellerINFINEON
HerstellerteilenummerIMT65R033M2HXUMA1
Bestellnummer4677112RL
ProduktpaletteCoolSiC Gen 2 Series
Auch bekannt alsIMT65R033M2H, SP006051125
Technisches Datenblatt
MOSFET-Modul-KonfigurationEins
Kanaltypn-Kanal
Dauer-Drainstrom Id68A
Drain-Source-Spannung Vds650V
Drain-Source-Durchgangswiderstand0.03ohm
Bauform - TransistorHSOF
Anzahl der Pins8Pin(s)
Rds(on)-Prüfspannung20V
Gate-Source-Schwellenspannung, max.5.6V
Verlustleistung312W
Betriebstemperatur, max.175°C
ProduktpaletteCoolSiC Gen 2 Series
Technische Spezifikationen
MOSFET-Modul-Konfiguration
Eins
Dauer-Drainstrom Id
68A
Drain-Source-Durchgangswiderstand
0.03ohm
Anzahl der Pins
8Pin(s)
Gate-Source-Schwellenspannung, max.
5.6V
Betriebstemperatur, max.
175°C
Kanaltyp
n-Kanal
Drain-Source-Spannung Vds
650V
Bauform - Transistor
HSOF
Rds(on)-Prüfspannung
20V
Verlustleistung
312W
Produktpalette
CoolSiC Gen 2 Series
Technische Dokumente (1)
Gesetzgebung und Umweltschutz
Herkunftsland:
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.Herkunftsland:Malaysia
Land, in dem der letzte Fertigungsprozeß ausgeführt wurde.
Tarif-Nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS-konform:Ja
RoHS
RoHS-Phthalate-konform:Keine Angabe
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Produkt-Konformitätszertifikat
Gewicht (kg):.000001
Produktnachverfolgung