IKW75N60TFKSA1

Beim Modell IKW75N60T handelt es sich um einen diskreten 600V-IGBT mit antiparalleler, Emitter-gesteuerter Soft-Recovery-Diode mit kurzer Erholzeit. Die TRENCHSTOP™-IGBT-Technologie sorgt für eine erhebliche Verbesserung der statischen und dynamischen Leistung des Bausteins aufgrund der Kombination aus Trenchstop- und Feldstop-Zellenkonzept. Zusätzlich ermöglicht die Kombination aus IGBT und der Emitter-gesteuerten Soft-Recovery-Diode eine weitere Minimierung der Einschaltverluste. Ein Kompromiss zwischen Schalt- und Leitungsverlusten ermöglicht einen optimalen Wirkungsgrad. Dieser diskrete IGBT eignet sich hervorragend für hartes Schalten sowie für sanfte Schaltanwendungen und andere Resonanzanwendungen.

• Lowest Vce (sat) drop for lower conduction losses
• Low switching losses
• Easy to parallel switching capability due to positive temperature coefficient in Vce (sat)
• High ruggedness, temperature stable behaviour
• Low EMI emissions
• Low gate charge
• Very tight parameter distribution
• Highest efficiency
• Low conduction and switching losses

Anwendungen

Power-Management, Alternative Energien, Industrie

Warnungen und Hinweise

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