IKW30N60H3FKSA1

Beim Modell IKW30N60H3 handelt es sich um einen diskreten 600V-IGBT mit antiparalleler Soft-Recovery-Diode mit kurzer Erholzeit. Dieser IGBT wurde speziell entwickelt als Ersatz für planare MOSFETs in Anwendungen mit Schaltfrequenzen von unter 70kHz. Das wichtigste Merkmale dieses Modells ist das Ausschaltverhalten, das dem eines MOSFET ähnelt, wodurch geringe Verluste während des Ausschaltvorgangs erzielt werden. Dieser diskrete IGBT eignet sich hervorragend für hartes Schalten sowie für sanfte Schaltanwendungen und andere Resonanzanwendungen.

• Geringe Schaltverluste für hohen Wirkungsgrad
• Schnelles Schalten mit niedrigen EMV-Emissionen
• Auswahl eines niedrigen Gate-Widerstands (ab 5 Ohm) möglich, wobei das hervorragende Schaltverhalten bestehen bleibt
• Hält Kurzschlüssen stand
• Hervorragende Leistung
• Geringe Schalt- und Leitungsverluste

Anwendungen

Power-Management, Alternative Energien

Warnungen und Hinweise

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