IKW25N120H3FKSA1

Beim Modell IKW25N120H3 handelt es sich um einen High-Speed-IGBT in Trench- und Feldstop-Technologie mit antiparalleler Soft-Recovery-Diode mit kurzer Erholzeit. Dieser High-Speed-Baustein wird verwendet, um die Größe der aktiven Bauelemente (25 bis 70kHz) zu reduzieren. Er bietet den besten Kompromiss zwischen Schalt- und Leitungsverlusten. Das wichtigste Merkmale dieses Modells ist das Ausschaltverhalten, das dem eines MOSFET ähnelt, wodurch geringe Verluste während des Ausschaltvorgangs erzielt werden. Es kann eine Verbesserung des Wirkungsgrads um bis zu 15% durch Implementieren dieser Technologie in ein Design erreicht werden.

• Speziell entwickelt als Ersatz für planare MOSFETs in Anwendungen mit Schaltfrequenzen von unter 70kHz
• Geringe Schaltverluste für hohen Wirkungsgrad
• Schnelles Schalten mit niedrigen EMV-Emissionen
• Optimierte Diode für Zielanwendungen, wodurch eine weitere Verbesserung im Bezug auf Schaltverluste erreicht wird
• Auswahl eines niedrigen Gate-Widerstands (ab 5 Ohm) möglich, wobei das hervorragende Schaltverhalten bestehen bleibt
• Kurzschlussfest
• Hervorragende Leistung
• Geringe Schalt- und Leitungsverluste
• Sehr gutes EMV-Verhalten
• Niedriger Gate-Widerstand für reduzierte Verzögerungszeit und weniger Spannungsüberschwingen
• Klassenbester IGBT-Wirkungsgrad und klassenbestes EMV-Verhalten
• Erhältlich mit und ohne Freilaufdiode für größere Designfreiheit
• Umweltfreundliches Produkt
• Halogenfrei

Anwendungen

Power-Management, Alternative Energien

Warnungen und Hinweise

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