IGW50N60TFKSA1

Beim Modell IGW50N60T handelt es sich um einen verlustarmen IGBT in TrenchStop® und Field-Stop-Technologie. Die TrenchStop®-IGBT-Technologie sorgt für eine erhebliche Verbesserung der statischen und dynamischen Leistung des Bausteins dank Kombination aus TrenchStop®-Zelle und Field-Stop-Konzept. Zusätzlich ermöglicht die Kombination aus IGBT und Emitter-gesteuerter Soft-Recovery-Diode eine weitere Minimierung der Einschaltverluste. Dank eines optimalen Kompromisses zwischen Schalt- und Leitungsverlusten wird der höchstmögliche Wirkungsgrad erreicht.

• Sehr niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce (sat)) für geringere Leitungsverluste
• Geringe Schaltverluste
• Einfache Parallelschaltung aufgrund des positiven Temperaturkoeffizienten in Vce(sat)
• Sehr sanfte, schnelle Erholung der antiparallelen Emitter-gesteuerten Diode
• Sehr robust, temperaturstabil
• Niedrige EMMA-Emissionen
• Niedrige Gate-Ladung
• Sehr enge Parameterverteilung
• Höchster Wirkungsgrad - Niedrige Leitungs- und Schaltverluste
• Hohe Zuverlässigkeit
• 5µs Kurzschlussfestigkeit
• Umweltfreundliches Produkt
• Halogenfrei

Anwendungen

Power-Management, Alternative Energien, Unterhaltungselektronik, HLK, Wartung & Reparatur

Warnungen und Hinweise

Aufgrund der Marktnachfrage nach diesem Produkt kommt es zu längeren Lieferzeiten. Liefertermine weichen möglicherweise ab. Das Produkt ist von Rabattaktionen ausgenommen.