Imprimer la page
Image non contractuelle – Proposée seulement à titre d'illustration. Veuillez vous reporter au descriptif technique.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIGW50N60TFKSA1
Code Commande1832357
Egalement appeléIGW50N60T, SP000054926
Fiche technique
189 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison EXPRESS en 1-2 jours ouvrés
Commandez avant 17h00
Livraison standard GRATUITE
pour les commandes de CHF 0.00 et plus
Les délais de livraison exacts seront calculés lors du paiement
| Quantité | Prix (hors TVA) |
|---|---|
| 1+ | CHF 3.860 |
| 10+ | CHF 2.540 |
| 100+ | CHF 1.900 |
| 500+ | CHF 1.650 |
| 1000+ | CHF 1.620 |
Prix pour :Pièce
Minimum: 1
Multiple: 1
CHF 3.86 (sans TVA)
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, à l’e-mail de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIGW50N60TFKSA1
Code Commande1832357
Egalement appeléIGW50N60T, SP000054926
Fiche technique
Courant Collecteur Continu50A
Tension de saturation Emetteur Collecteur2V
Dissipation de puissance333W
Tension Collecteur Emetteur Max600V
Type de boîtier de transistorTO-247
Nbre de broches3Broche(s)
Température d'utilisation Max.175°C
Montage transistorTraversant
Gamme de produit-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
The IGW50N60T is a Low Loss IGBT in TrenchStop® and field-stop technology. The TrenchStop® IGBT technology leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device, due to combination of TrenchStop®-cell and field-stop concept. The combination of IGBT with soft recovery emitter controlled diode further minimizes the turn-ON losses. The highest efficiency is reached due to the best compromise between switching and conduction losses.
- Lowest Vce (sat) drop for lower conduction losses
- Low switching losses
- Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in Vce (sat)
- Very soft, fast recovery anti-parallel emitter controlled diode
- High ruggedness, temperature stable behaviour
- Low EMI emissions
- Low gate charge
- Very tight parameter distribution
- Highest efficiency - Low conduction and switching losses
- High device reliability
- 5µs Short-circuit withstand time
- Green product
- Halogen-free
Avertissements
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Spécifications techniques
Courant Collecteur Continu
50A
Dissipation de puissance
333W
Type de boîtier de transistor
TO-247
Température d'utilisation Max.
175°C
Gamme de produit
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Tension de saturation Emetteur Collecteur
2V
Tension Collecteur Emetteur Max
600V
Nbre de broches
3Broche(s)
Montage transistor
Traversant
MSL
-
Documents techniques (3)
Produits associés
4 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
Pays d'origine :
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenuePays d'origine :Philippines
Pays dans lequel la dernière étape de production majeure est intervenue
N° de tarif :85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Poids (kg) :.00542
Traçabilité des produits