IGW30N60TFKSA1

Beim Modell IGW30N60T handelt es sich um einen verlustarmen IGBT in TRENCHSTOP™ und Field-Stop-Technologie. Die TrenchStop®-IGBT-Technologie sorgt für eine erhebliche Verbesserung der statischen und dynamischen Leistung des Bausteins dank Kombination aus TrenchStop®-Zelle und Field-Stop-Konzept. Zusätzlich ermöglicht die Kombination aus IGBT und Emitter-gesteuerter Soft-Recovery-Diode eine weitere Minimierung der Einschaltverluste. Dank eines optimalen Kompromisses zwischen Schalt- und Leitungsverlusten wird der höchstmögliche Wirkungsgrad erreicht.

• Lowest Vce (sat) drop for lower conduction losses
• Low switching losses
• Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in Vce (sat)
• Very soft, fast recovery anti-parallel emitter controlled diode
• High ruggedness, temperature stable behaviour
• Low EMI emissions
• Low gate charge
• Very tight parameter distribution
• Highest efficiency - Low conduction and switching losses
• High device reliability
• 5µs Short-circuit withstand time
• Green product
• Halogen-free

Anwendungen

Power-Management, Alternative Energien, Unterhaltungselektronik, HLK, Industrie

Warnungen und Hinweise

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